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Dopage de type p du ZnO

Dopage de type p du ZnO

 

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  • Product Description
 

L'objectif de cette thŠse a ‚t‚ l'‚tude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, ‚labor‚s par la technique MOCVD. Les ‚chantillons ont ‚t‚ caract‚ris‚s par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures ‚lectriques montrent que les couches dop‚es azote restent de type n mˆme aprŠs avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont n‚anmoins observ‚es par photoluminescence et Raman : l?incorporation de l?azote se traduit par la pr‚sence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observ‚s par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec l'antimoine (Sb) qui s?incorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de l?ordre de 1020 at.cm-3. Nous avons r‚ussi … r‚aliser des structures de diode ZnO:Sb/ZnO ayant les caract‚ristiques de jonction PN.

Product Specifications
SKU :COC101236
Country of ManufactureIndia
Product BrandNot defined
Product Packaging InfoBox
In The Box1 Piece
Product First Available On ClickOnCare.com2015-08-18
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